Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 29 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
IN74AC273N
DIP20
Integral
Купить
100 т.
Товар в корзине
IN74LS85N
DIP16
Integral Цифровая
Купить
120 т.
Товар в корзине
QM3004D
DPAK
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 55A, 8,5mΩ
Купить
500 т.
Товар в корзине
QM3006P
TO220AB
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 90A, 6mΩ, 74W
Купить
0 т.
Товар в корзине
MIK324
DIP14
Integral Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER
Тех. описание(PDF)
Купить
120 т.
Товар в корзине
QM4003D
DPAK
UBIQ Semiconductor P-канальный MOSFET с диодом
-40V, -27A, 32mΩ, 35W
Купить
1300 т.
Товар в корзине
QM4004D
TO252AA
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
40V, 42A, 11,5mΩ, 34,7W
Купить
1300 т.
Товар в корзине
QM3016P
TO220AB
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 120A, 4mΩ
Товар в корзине
QM0014D
DPAK
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
100V, 9A, 152mΩ
Товар в корзине
431C
TO92
Integral ИОНиТ Регулируемый ИОН
Купить
70 т.
Товар в корзине
QM0008D
TO252AA
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
100V, 5,4A, 310mΩ
Купить
450 т.
Товар в корзине
QM3002M3
DFN 3x3 EP
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 28A, 18mΩ
Купить
350 т.
Товар в корзине
QM3006D
DPAK
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 80A, 5,5mΩ
Купить
250 т.
Товар в корзине
QM3016D
DPAK
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 96A, 4mΩ
Купить
350 т.
Товар в корзине
IN74LS07D
SO14
Integral Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом
Тех. описание(PDF)
Купить
300 т.
Товар в корзине
IL145567N
DIP20
Integral
Товар в корзине
IW4502BD
SO16
Integral Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
IW4520BD
SO16
Integral Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
IW4011BD
SO14
Integral Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS
Тех. описание(PDF)
Товар в корзине
QM3024M6
PRPAK5X6
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом
30V, 57A, 9mΩ
Купить
650 т.
Товар в корзине
QM0930M3
DFN 3x3 EP
UBIQ Semiconductor
Купить
1750 т.
Товар в корзине
QM3024M3
DFN 3x3 EP
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 30V, 46A, 9mΩ
Купить
600 т.
Товар в корзине
QM3816N6
PRPAK 5X6
UBIQ Semiconductor Dual N-Channel Fast Switching MOSFET
30V, 51A, 7,3mΩ, 31W/40W
Купить
2200 т.
Товар в корзине
QM12N70F
TO220F
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 700V, 12A, 1Ω, 42W, 2435pF
Купить
450 т.
Товар в корзине
КР1533ИД14
DIP16
Integral
Купить
0 т.
Товар в корзине
КР1533КП11А
DIP16
Integral
Купить
0 т.
Товар в корзине
QM1830M3
DFN 3x3 EP
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 30V, 45A, 9mΩ
Купить
1250 т.
Товар в корзине
QM3054M6
PRPAK5X6
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 30V, 97A, 4,2mΩ
Купить
1000 т.
Товар в корзине
QM6006D
TO252
UBIQ Semiconductor N-канальный MOSFET с диодом 60V, 35A, 18mΩ
Купить
750 т.
Товар в корзине