Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 24 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
DPAK
|
P-канальный MOSFET с диодом | 12A 40V 35mΩ |
Купить
0 т.
|
||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 12A, 35mΩ |
Купить
350 т.
|
||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
PL78M05BJ
|
DPAK
|
POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
Купить
0 т.
|
||
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
SOT23
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 150V, 0,7A, 1,07Ω |
Купить
0 т.
|
||
TO252AA
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 2,5A, 1,71Ω |
Купить
0 т.
|
||
SOT89
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 150V, 1A, 0,97Ω |
Купить
400 т.
|
||
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
TO263
|
NPN Darlington с диодом | 250V, 10A |
Купить
0 т.
|
||
SOIC8
|
N-канальный MOSFET с диодом | 8A, 30V, 20mΩ |
Купить
500 т.
|
||
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
SOT23
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V 4A 41mΩ |
Купить
200 т.
|
||
SOT23
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 3A, 60mΩ |
Купить
200 т.
|
||
SOT23
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 5,8A, 25mΩ |
Купить
100 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 50A, 19mΩ |
Купить
400 т.
|
||
SOT23
|
Low Dropout CMOS Voltage Regulator | 3,3V, 250mA, 150mW |
Купить
100 т.
|
||
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|