Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
Нет в наличии
ME35N10A
всего найдено 27 позиций
Микросхемы прочие
DIP28-600
A3520D
RFT (RFTechniques)
Есть в наличии
Микросхемы прочие
DIP28-600
A3505DC
RFT (RFTechniques)
Есть в наличии
Микросхемы прочие
DIP28-600
A3501D
RFT (RFTechniques)
Есть в наличии
P-Channel с диодом
SOIC8
P-Channel с диодом
TO-252
N-Channel с диодом
TO-252-3L
Dual N-Channel с диодом
SOIC8
N-Channel с диодом
TO220AB
P-Channel с диодом
TO-252
ME85P03
-30V, -80A/-65A, 8mΩ,
P-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
N-Channel +D & P-Channel +D
TO-252-4L
N-Channel с диодом
SOIC8
N-Channel +D & P-Channel +D
SOIC8
N-Channel с диодом
TO-252
N-Channel с диодом
TO-252
N-Channel с диодом
TO-252
ME25N06-G
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
Dual P-Channel с диодом
SOIC8
ME4925-G
Dual P-Channel с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SOIC8
ME4894-G
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO252AA
ME70N03R ME70N03A
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-252-3L
N-Channel с диодом
TO-252-3L
ME35N10A
100V, 28,1A, 22mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии