Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 46 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
IR333/HO
|
Unknown
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
Инфрокрасный диод 5мм
|
Unknown
|
|
Купить
15 т.
|
||
SOIC8
|
|
P-Channel с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
|
EL817
|
PDIP4 (DIP4-300-2.54)
|
|
Купить
100 т.
|
||
|
6N136
|
DIP8-300
|
|
Оптотранзистор | 8 PIN DIP HIGH SPEED 1Mbit/s TRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
Купить
300 т.
|
Standard DIP-8.
|
|
HIGH SPEED 10MBit/s LOGIC GATE PHOTOCOUPLER | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
TO-252
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | 40V, -15A, 45mΩ, 16W |
Купить
650 т.
|
|
TO-252-3L
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 14,7A, 100mΩ, 22,2W |
Купить
300 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
550 т.
|
|
|
4N25
|
DIP6
|
|
Купить
150 т.
|
||
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 75V, 78A, 10mΩ |
Купить
1200 т.
|
|
| SOIC8
|
|
P-Channel Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected |
Купить
0 т.
|
||
DIP6-L
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
||
|
4N28
|
DIP6
|
|
Купить
120 т.
|
||
DIP6 Standard
|
|
Оптосимистор | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
|
|
4N32
|
DIP6
|
|
Оптотранзистор. PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER |
Купить
150 т.
|
|
| TO-252
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -80A/-65A, 8mΩ, |
Купить
т.
|
|
TO-252-4L
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 5,6A, 33mΩ |
Купить
650 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
| TO-252
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -40V, -25A, 18mΩ, 16W |
Купить
350 т.
|
|
| TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
| TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 13A |
Купить
550 т.
|
|
Fig.7
|
|
Opto Interrupter | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
| TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
550 т.
|
||
|
ME4925-G
|
SOIC8
|
|
Dual P-Channel с диодом |
Купить
450 т.
|
|
|
4N29
|
DIP6
|
|
Купить
200 т.
|
||
|
4N30
|
DIP6
|
|
Оптотранзистор. PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLER |
Купить
350 т.
|
|
4 PIN LONG CREEPAGE SOP
|
|
PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
| 4 PIN LONG CREEPAGE SOP
|
|
PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
|
|
CNY17F-3
|
DIP6_L
|
|
Оптотранзистор | Тех. описание(PDF) |
Купить
250 т.
|
| DPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом (LOGIC LEVEL) | -60V, -17,7A, 78mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
ME4894-G
|
SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
350 т.
|
|
|
CNY17-3
|
DIP6
|
|
Оптотранзистор |
Купить
0 т.
|
|
|
4N27
|
DIP6
|
|
Купить
300 т.
|
||
|
ME70N03R ME70N03A
|
TO252AA
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
|
DIP6 SMD
|
|
Оптосимистор | Тех. описание(PDF) |
Купить
200 т.
|
|
|
EL3083
|
DIP6 Standard
|
|
Оптосимистор |
Купить
350 т.
|
|
| TO-252-3L
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 13,7A, 265mΩ, 80W |
Купить
т.
|
|
4 PIN DIP
|
|
VERY HIGH ISOLATION VOLTAGE PHOTOCOUPLER |
Купить
900 т.
|
||
| TO-252-3L
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 28,1A, 22mΩ |
Купить
700 т.
|
|
TO-220
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
650 т.
|
||
|
ME4057DSPG
|
SOP8-PP
|
|
Купить
400 т.
|
||
SOT23
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -4,3A, 10mΩ |
Купить
т.
|
|
SO4EL
|
|
PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER AC INPUT PHOTOCOUPLE |
Купить
500 т.
|
