Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
ME35N10A
всего найдено 32 позиций
P-Channel с диодом
SOIC8
N-Channel с диодом
DPAK
P-Channel с диодом
TO-252
N-Channel с диодом
TO-252-3L
N-Channel с диодом
TO220AB
P-Channel с диодом
SOIC8
P-Channel с диодом
TO-252
ME85P03
-30V, -80A/-65A, 8mΩ,
P-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
N-Channel +D & P-Channel +D
TO-252-4L
N-Channel +D & P-Channel +D
SOIC8
P-Channel с диодом
TO-252
N-Channel с диодом
TO-252
N-Channel с диодом
TO-252
Dual P-Channel с диодом
SOIC8
ME4925-G
Dual P-Channel с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
P-Channel с диодом (Automotive)
DPAK
ME20P06-G
P-канальный MOSFET с диодом (LOGIC LEVEL)
Matsuki Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SOIC8
ME4894-G
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO251
CS1N60 B3R
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
BT40T60ANFU
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO252AA
ME70N03R ME70N03A
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-252-3L
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
BT30N60ANF
600V, 30A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
BT40T60ANFD
600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
BT40N60BNF
600V, 40A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
N-Channel с диодом
TO-252
CS100N03 B4
30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-252-3L
ME35N10A
100V, 28,1A, 22mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric
Есть в наличии