Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 32 позиций 
P-Channel с диодом
SOIC8

ME9435

Тех. описание(PDF)
P-Channel с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
DPAK

ME70N03R

Тех. описание(PDF)
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO-252

ME12P04

40V, -15A, 45mΩ, 16W
P-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
650 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252-3L

ME15N10-G

100V, 14,7A, 100mΩ, 22,2W
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
Dual N-Channel с диодом
SOIC8

ME4946

Тех. описание(PDF)
Dual N-Channel с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
550 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

ME80N75T

75V, 78A, 10mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
1200 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
SOIC8

ME8107-G

P-Channel Enhancement Mode MOSFET, ESD Protected
Matsuki Electric Matsuki Electric
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO-252

ME85P03

-30V, -80A/-65A, 8mΩ,
P-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel +D & P-Channel +D
TO-252-4L

ME4565AD4

Тех. описание(PDF)
N-Channel +D & P-Channel +D
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
SOIC8

ME4436

60V, 5,6A, 33mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
650 т.
Товар в корзине
N-Channel +D & P-Channel +D
SOIC8

ME4542

Тех. описание(PDF)
N-Channel +D & P-Channel +D
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
500 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO-252

ME45P04

-40V, -25A, 18mΩ, 16W
P-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
350 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

ME04N25-G

Тех. описание(PDF)
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
350 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

ME25N06

60V, 13A
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
550 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

ME25N06-G

N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
550 т.
Товар в корзине
Dual P-Channel с диодом
SOIC8

ME4925-G

Dual P-Channel с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
450 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом (Automotive)
DPAK

ME20P06-G

-60V, -17,7A, 78mΩ
P-канальный MOSFET с диодом (LOGIC LEVEL)
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
500 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
SOIC8

ME4894-G

N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
350 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO251

CS1N60 B3R

600V, 1,5A, 7Ω, 32W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO92

CS1N60 A1H

600V, 0,8A, 11Ω, 3W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFU

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO252AA

ME70N03R ME70N03A

N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252-3L

ME15N25

250V, 13,7A, 265mΩ, 80W
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT30N60ANF

600V, 30A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1500 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFK

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
1800 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40T60ANFD

600V, 40A, 280W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

BT40N60BNF

600V, 40A, 312W
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Нет в наличии
Купить
1600 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252

CS100N03 B4

30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-252-3L

ME35N10A

100V, 28,1A, 22mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
700 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-220

ME75N80

N-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
650 т.
Товар в корзине
Микросхемы прочие
SOP8-PP

ME4057DSPG

Matsuki Electric Matsuki Electric
Есть в наличии
Купить
400 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
SOT23

ME2325-G

-30V, -4,3A, 10mΩ
P-канальный MOSFET с диодом
Matsuki Electric Matsuki Electric
Нет в наличии
Товар в корзине