Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 209 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
BC338-25
|
TO92
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
30 т.
|
|
KA3842A
|
DIP8-300
|
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
200 т.
|
|
|
KA3842B
|
DIP8-300
|
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
250 т.
|
|
|
BC338-40
|
TO92
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
30 т.
|
|
BC559
|
TO92
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
50 т.
|
| TO92
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
50 т.
|
|
|
KSP42TA
|
TO92
|
|
NPN | 300V, 500mA, 625mW |
Купить
80 т.
|
|
00210
|
TO263
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1100 т.
|
|
|
KA78RM33
|
TO252AA
|
|
Купить
370 т.
|
||
MLP 3.3x3.3
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -30V, -20A, 14,4mΩ |
Купить
650 т.
|
|
SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 13A, 9mΩ |
Купить
550 т.
|
|
|
07096
|
TO252AA
|
|
N-Channel Ignition IGBT (Logic Level) |
Купить
1000 т.
|
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 27A |
Купить
0 т.
|
|
TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 51A, 22mΩ |
Купить
850 т.
|
|
|
FSGM300N
|
DIP8-300
|
|
650V Integrated Power Switch with Abnormal OCP for 30Watt offline flyback converters | Тех. описание(PDF) |
Купить
850 т.
|
|
FSQ0370R
|
DIP8-300
|
|
Купить
750 т.
|
||
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
|
2SA1220-A
|
TO126
|
|
PNP |
Купить
0 т.
|
|
|
FGH50T65UPD
|
TO247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 650V |
Купить
1500 т.
|
|
2N3702
|
TO92
|
|
PNP |
Купить
т.
|
|
|
2N3704
|
TO92
|
|
NPN |
Купить
300 т.
|
|
|
FQPB44N10 FQB44N10
|
TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
350 т.
|
|
|
FQPF44N10
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
|
| TO220AB
|
|
NPN Darlington с диодом |
Купить
500 т.
|
||
|
KA3842A
|
SOIC8
|
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
200 т.
|
|
|
FDP52N20
|
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
1100 т.
|
|
|
2SA733
|
TO92
|
|
PNP | -60V -500mA |
Купить
0 т.
|
TO-220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 22A, 0,165Ω |
Купить
1500 т.
|
|
| TO252AA
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 9,0A, 280mΩ |
Купить
600 т.
|
|
TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 70A, 0,023Ω |
Купить
1000 т.
|
|
|
FSQ211
|
DIP8-300
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
600 т.
|
|
|
FSBH0270NY
|
DIP8-300
|
|
Купить
850 т.
|
||
|
FSBH0170A
|
DIP8-300
|
|
Купить
850 т.
|
||
|
FSBH0270ANYO
|
DIP8-300
|
|
Купить
850 т.
|
||
|
MMBT4401 <2X>
|
SOT23
|
|
NPN | 40V, 600mA, 350mW |
Купить
60 т.
|
MTC20
|
|
Low Voltage Bidirectional Transceiver with 5V Tolerant Inputs and Outputs | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
|
FSD106LG
|
DIP8B
|
|
Купить
400 т.
|
||
|
FSEZ1317NY
|
DIP8B
|
|
Купить
650 т.
|
||
|
FSGM0465R
|
TO-220F-6L
|
|
Купить
1000 т.
|
||
|
FSL136HR
|
DIP8-300
|
|
Купить
700 т.
|
||
DPAK
|
|
Ultrafast Diode | 6A, 200V, 25ns |
Купить
500 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
| MLP 3.3x3.3
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -20V, -18A, 8,0mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
FDMS8660AS
|
Power 56
|
|
N-Channel с диодом Шоттки | 30V, 49A, 2,1mΩ |
Купить
600 т.
|
| DPAK
|
|
NPN Darlington с диодом | 100V, 8A, 20W |
Купить
т.
|
|
| DPAK
|
|
NPN Darlington с диодом | 100V, 8A, 20W |
Купить
т.
|
|
IPAK
|
|
NPN Darlington с диодом | 100V, 8A, 20W |
Купить
т.
|
|
|
FQP50N06C
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
120 т.
|
|
| TO92
|
|
NPN | 40V, 200mA |
Купить
0 т.
|
|
|
FQP18N50
|
Unknown
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
|
| TO92
|
|
NPN Digital Transistors | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
|
KA5Q0765RT
|
TO-220F-5L
|
|
Главный контроллер питания (SMPS) |
Купить
700 т.
|
|
| TO252AA
|
|
N-Channel с диодом (Logic Level) | 60V, 20A, 0,027Ω |
Купить
500 т.
|
|
D2PAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 6,2A, 1,5Ω, 3,13W |
Купить
500 т.
|
|
SOT23-5
|
|
Single 2A High-Speed, Low Side Gate Driver | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
|
MM74HC259M
|
SO16
|
|
Цифровая |
Купить
250 т.
|
|
| DPAK
|
|
NPN с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
200 т.
|
|
| TO126
|
|
NPN с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
|
2N5551Y
|
TO92
|
|
NPN |
Купить
35 т.
|
|
|
KST5087 <2Q>
|
SOT23
|
|
PNP | -50V, -50mA, 350mW hFE: 250-800 |
Купить
0 т.
|
| TO92
|
|
NPN | 80V, |
Купить
100 т.
|
|
| TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 80A, 15mΩ |
Купить
450 т.
|
|
|
BC557
|
TO92
|
|
PNP |
Купить
50 т.
|
|
|
FQP10N60C
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
200 т.
|
|
|
QRD1114
|
Custom 4L
|
|
Reflective Object Sensor |
Купить
600 т.
|
|
|
LM358M
|
SOIC8
|
|
Operational Amplifier |
Купить
150 т.
|
|
|
BD680-A
|
TO126FM
|
|
PNP Darlington с диодом |
Купить
300 т.
|
|
| TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 80A |
Купить
400 т.
|
|
|
FGA46N15
|
TO-3PN
|
|
N-Channel |
Купить
1200 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -150V, -36A, 90mΩ |
Купить
1000 т.
|
|
| TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 45,6A, 0,042Ω |
Купить
800 т.
|
|
| TO252AA
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 400V, 2A, 3,4Ω |
Купить
350 т.
|
|
| TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 3,9A, 3,6Ω |
Купить
0 т.
|
|
|
KST5086 <2P>
|
SOT23
|
|
PNP | -50V, -50mA, 350mW hFE: 150-500 |
Купить
150 т.
|
|
FSB147HNY
|
DIP8-300
|
|
PWM Power Switch | 700V, 4A |
Купить
750 т.
|
|
FSB117HNY
|
DIP8-300
|
|
PWM Power Switch | 1A, 700V |
Купить
850 т.
|
|
FAN5405UCX
|
WLCSP-20
|
|
Микросхема управления питанием для мобильных телефонов. USB-Compliant Single-Cell Li-Ion Switching Charger with USB-OTG Boost Regulator | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
FAN54015BUCX
|
WLCSP-20
|
|
Микросхема управления питанием для мобильных телефонов. USB-Compliant Single-Cell Li-Ion Switching Charger with USB-OTG Boost Regulator | Тех. описание(PDF) |
Купить
600 т.
|
TO220FP
|
|
Bi-Directional Triode Thyristor |
Купить
0 т.
|
||
| TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 400V, 1,8A, 5,8Ω |
Купить
350 т.
|
